半导体分立器件试验-AEC-Q101认证

AEC-Q101对对各类半导体分立器件的车用可靠性要求进行了梳理。AEC-Q101试验不仅是对元器件可靠性的国际通用报告,更是打开车载供应链的敲门砖。百检检测在SiC第三代半导体器件的AEC-Q认证上
  •        AEC-Q101对对各类半导体分立器件的车用可靠性要求进行了梳理。AEC-Q101试验不仅是对元器件可靠性的国际通用报告,更是打开车载供应链的敲门砖。 百检检测在SiC第三代半导体器件的AEC-Q认证上具有丰富的实战经验,为您提供专业可靠的AEC-Q101认证服务,同时,我们也开展了间歇工作寿命(IOL)、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高压蒸煮(Autoclave)试验服务,设备能力完全覆盖以SiC为第三代半导体器件的可靠性试验能力。

     

    服务介绍

           随着技术的进步,各类半导体功率器件开始由实验室阶段走向商业应用,尤其以SiC为代表的第三代半导体器件国产化的脚步加快。但车用分立器件市场均被国外巨头所把控,国产器件很难分一杯羹,主要的原因之一即是可靠性得不到认可。

     

    测试周期:

           2-3个月,提供全面的认证计划、测试等服务

     

    产品范围:

           二、三极管、晶体管、MOS、IBGT、TVS管、Zener、闸流管等半导体分立器件

     

    测试项目:

    序号测试项目缩写样品数/批批数测试方法
    1Pre- and Post-Stress Electrical and Photometric TestTEST所有应力试验前后均进行测试用户规范或供应商的标准规范
    2Pre-conditioningPCSMD产品在7、8、9和10试验前预处理JESD22-A113
    3External VisualEV每项试验前后均进行测试JESD22-B101
    4Parametric VerificationPV253 Note A用户规范
    5High Temperature
    Reverse Bias
    HTRB773 Note BMIL-STD-750-1
    M1038 Method A
    5aAC blocking
    voltage
    ACBV773 Note BMIL-STD-750-1
    M1040 Test Condition A
    5bHigh Temperature
    Forward Bias
    HTFB773 Note BJESD22
    A-108
    5cSteady State
    Operational
    SSOP773 Note BMIL-STD-750-1
    M1038 Condition B(Zeners)
    6High Temperature
    Gate Bias
    HTGB773 Note BJESD22
    A-108
    7Temperature
    Cycling
    TC773 Note BJESD22
    A-104
    Appendix 6
    7aTemperature
    Cycling Hot Test
    TCHT773 Note BJESD22
    A-104
    Appendix 6
    7a
    alt
    TC Delamination
    Test
    TCDT773 Note BJESD22
    A-104
    Appendix 6
    J-STD-035
    7bWire Bond IntegrityWBI53 Note BMIL-STD-750
    Method 2037
    8Unbiased Highly
    Accelerated Stress
    Test
    UHAST773 Note BJESD22
    A-118
    8
    alt
    AutoclaveAC773 Note BJESD22
    A-102
    9Highly Accelerated
    Stress Test
    HAST773 Note BJESD22
    A-110
    9
    alt
    High Humidity
    High Temp.
    Reverse Bias
    H3TRB773 Note BJESD22
    A-101
    10Intermittent
    Operational Life
    IOL773 Note BMIL-STD-750
    Method 1037
    10
    alt
    Power and
    Temperature Cycle
    PTC773 Note BJESD22
    A-105
    11ESD
    Characterization
    ESD30 HBM1AEC-Q101-001
    30 CDM1AEC-Q101-005
    12Destructive
    Physical Analysis
    DPA21 NoteBAEC-Q101-004
    Section 4
    13Physical
    Dimension
    PD301JESD22
    B-100
    14Terminal StrengthTS301MIL-STD-750
    Method 2036
    15Resistance to
    Solvents
    RTS301JESD22
    B-107
    16Constant AccelerationCA301MIL-STD-750
    Method 2006
    17Vibration Variable
    Frequency
    VVF项目16至19是密封包装的顺序测试。 (请参阅图例页面上的注释H.)JEDEC
    JESD22-B103
    18Mechanical
    Shock
    MS

    JEDEC
    JESD22-B104
    19HermeticityHER

    JESD22-A109
    20Resistance to
    Solder Heat
    RSH301JESD22
    A-111 (SMD)
    B-106 (PTH)
    21SolderabilitySD101 Note BJ-STD-002
    JESD22B102
    22Thermal
    Resistance
    TR101JESD24-3,24-4,26-6视情况而定
    23Wire Bond
    Strength
    WBS最少5个器件的10条焊线1MIL-STD-750
    Method 2037
    24Bond ShearBS最少5个器件的10条焊线1AEC-Q101-003
    25Die ShearDS51MIL-STD-750
    Method 2017
    26Unclamped
    Inductive
    Switching
    UIS51AEC-Q101-004
    Section 2
    27Dielectric IntegrityDI51AEC-Q101-004
    Section 3
    28Short Circuit
    Reliability
    Characterization
    SCR103 Note BAEC-Q101-006
    29Lead FreeLF

    AEC-Q005