芯片失效分析的作用是针对异常芯片（信号检测错误）进行失效点定位，并结合芯片的原始设计情况判断芯片失效的机理。做失效分析需要全面的知识，电子、工艺、结构、材料、理化等很多方面都会涉及到。

　　检测项目：

　　芯片失效分析IC集成电路失效分析中：

　　开封，3D-OM，C-SAM/SAT，2DX-Ray，3DX-Ray，SEM-EDX，OBIRCH/EMMI，RIE，Nanoprobe，ESD（HBM，MM，Latch-up)，AFM，SIMS，TOF-SIMS，TEM，XPS，I-V，C-V

　　检测范围：

　　集成电路、芯片

　　检测标准：

　　GJB 548B-2005

　　芯片失效分析方法：

　　01.OM显微镜观测，外观分析

　　02.C-SAM/SAT（超声波扫描显微镜）

　　（1）材料内部的晶格结构，杂质颗粒，夹杂物，沉淀物。

　　（2）内部裂纹。

　　（3）分层缺陷。

　　（4）空洞，气泡，空隙等。

　　03.无损检测，X－Ray检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接，开路、短路或不正常连接的缺陷，封装中的锡球完整性。（这几种是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段），其中有2DX-Ray和3DX-Ray。

　　04.SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪（材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸）。

　　05.取die，开封使用激光开封机和自动酸开封机将被检样品(不适用于陶瓷和金属封装)的封装外壳部分去除，使被检样品内部结构暴露。

　　06.OBIRCH/EMMI（微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试）/Thermal热点侦测（这三者属于常用漏电流路径分析手段，寻找发热点，LC要借助探针台，示波器）

　　07.切割制样：使用切割制样模块将小样品进行固定，以方便后续实验进行。

　　08.去层：使用等离子刻蚀机(RIE)去除芯片内部的钝化层，使被检样品下层金属暴露，如需去除金属层观察下层结构，可利用研磨机进行研磨去层。

　　09.FIB做一些电路修改，切点观察。

　　10.Probe Station探针台/Probing Test探针测试。

　　11.ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试（有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试，有些客户是失效发生后才想到要筛取良片送验）这些已经提到了多数常用手段。

　　除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段，原子力显微镜AFM，二次离子质谱SIMS，飞行时间质谱TOF-SIMS，透射电镜TEM，场发射电镜，场发射扫描俄歇探针，X光电子能谱XPS，L-I-V测试系统，能量损失X光微区分析系统等很多手段，不过这些项目不是很常用。

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