在选MOSFET的过程中，我们要了解其中的各个参数。  

  1）电压应力：  

  在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压VDS的选择。在此上的基本原则为MOSFET实际工作环境中的*大峰值漏源*间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即：VDS_peak≤90%*V(BR)DSS。  

  一般V(BR)DSS具有正温度系数。故应取设备*低工作温度条件下之V(BR)DSS值作为参考。  

  2）漏*电流：  

  其次考虑漏*电流的选择。基本原则为MOSFET实际工作环境中的*大周期漏*电流不大于规格书中标称*大漏源电流的90%；漏*脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏*脉冲电流峰值的90%即：ID_max≤90%*ID  

  一般地，ID_max及ID_pulse具有负温度系数，故应取器件在*大结温条件下之ID_max及ID_pulse值作为参考。器件此参数的选择是*为不确定的—主要是受工作环境，散热技术，器件其它参数（如导通电阻，热阻等）等相互制约影响所致。*终的判定依据是结点温度（即如下第六条之“耗散功率约束”）。根据经验，在实际应用中ID会比实际*大工作电流大数倍，这是因为散耗功率及温升之限制约束。在初选计算时期还须根据下面第六条的散耗功率约束不断调整此参数。建议初选于3~5倍左右ID=(3~5)*ID_max。  

  3）驱动要求：  

  MOSFEF的驱动要求由其栅*总充电电量（Qg）参数决定。在满足其它参数要求的情况下，尽量选择Qg小者以便驱动电路的设计。驱动电压选择在保证远离*大栅源电压（VGSS）前提下使Ron尽量小的电压值（一般使用器件规格书中的建议值）。  

  4）损耗及散热：  

  小的Ron值有利于减小导通期间损耗，小的Rth值可减小温度差（同样耗散功率条件下），故有利于散热。  

  5）损耗功率初算：  

  MOSFET损耗计算主要包含如下8个部分：PD=Pon+Poff+Poff_on+Pon_off+Pds+Pgs+Pd_f+Pd_recover；详细计算公式应根据具体电路及工作条件而定。例如在同步整流的应用场合，还要考虑体内二*管正向导通期间的损耗和转向截止时的反向恢复损耗。  

  6）耗散功率约束：  

  器件稳态损耗功率PD,max应以器件*大工作结温度限制作为考量依据。如能够预先知道器件工作环境温度，则可以按如下方法估算出*大的耗散功率：PD,max≤（Tj,max-Tamb）/Rθj-a。  

  其中Rθj-a是器件结点到其工作环境之间的总热阻,包括Rθjuntion-case,Rθcase-sink,Rθsink-ambiance等。如其间还有绝缘材料还须将其热阻考虑进去。计算方式可按热流等效电路进行计算。  

  再根据此数值返回到上面重新调整ID/Ron等参数（如需要）。直到PD,max计算值接近而有不超过（Tj,max-Tamb）/Rθj-a计算值。